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WNSC101200Q

WNSC101200Q

WNSC101200Q

SILICON CARBIDE POWER DIODE

compliant

WNSC101200Q Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $5.11500 $5.115
500 $5.06385 $2531.925
1000 $5.0127 $5012.7
1500 $4.96155 $7442.325
2000 $4.9104 $9820.8
2500 $4.85925 $12148.125
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de diode Silicon Carbide Schottky
tension - courant continu inverse (vr) (max) 1200 V
courant - moyen redressé (io) 10A
tension - directe (vf) (max) @ if 1.6 V @ 10 A
vitesse No Recovery Time > 500mA (Io)
temps de récupération inverse (trr) 0 ns
courant - fuite inverse @ vr 110 µA @ 1200 V
capacité à vr, f 510pF @ 1V, 1MHz
type de montage Through Hole
paquet / étui TO-220-2
package d'appareils du fournisseur TO-220AC
température de fonctionnement - jonction 175°C (Max)
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Numéro de pièce associé

RAS00412XX
RAS00412XX
$0 $/morceau
STPSC12065G2-TR
1N4587R
1N4587R
$0 $/morceau
S3680
S3680
$0 $/morceau
M0914LC200
M0914LC200
$0 $/morceau
MBRA210L
MBRA210L
$0 $/morceau
JAN1N5615
JAN1N5615
$0 $/morceau
JANTX1N1616R

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