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| Nom | Valeur |
|---|---|
| statut du produit | Active |
| type de diode | Silicon Carbide Schottky |
| tension - courant continu inverse (vr) (max) | 650 V |
| courant - moyen redressé (io) | 12A |
| tension - directe (vf) (max) @ if | 1.8 V @ 12 A |
| vitesse | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| temps de récupération inverse (trr) | 0 ns |
| courant - fuite inverse @ vr | 60 µA @ 650 V |
| capacité à vr, f | 328pF @ 1V, 1MHz |
| type de montage | Surface Mount |
| paquet / étui | 4-VSFN Exposed Pad |
| package d'appareils du fournisseur | 5-DFN (8x8) |
| température de fonctionnement - jonction | 175°C |
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