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WNSC201200CWQ

WNSC201200CWQ

WNSC201200CWQ

SILICON CARBIDE POWER DIODE

SOT-23

non conforme

WNSC201200CWQ Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $10.17163 $10.17163
500 $10.0699137 $5034.95685
1000 $9.9681974 $9968.1974
1500 $9.8664811 $14799.72165
2000 $9.7647648 $19529.5296
2500 $9.6630485 $24157.62125
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de diode Silicon Carbide Schottky
tension - courant continu inverse (vr) (max) 1200 V
courant - moyen redressé (io) 20A
tension - directe (vf) (max) @ if 1.6 V @ 10 A
vitesse No Recovery Time > 500mA (Io)
temps de récupération inverse (trr) 0 ns
courant - fuite inverse @ vr 110 µA @ 1200 V
capacité à vr, f 510pF @ 1V, 1MHz
type de montage Through Hole
paquet / étui TO-247-3
package d'appareils du fournisseur TO-247-3
température de fonctionnement - jonction 175°C (Max)
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Numéro de pièce associé

RHRG5080
RHRG5080
$0 $/morceau
S32110
S32110
$0 $/morceau
HER102BULK
MC03FA40
MC03FA40
$0 $/morceau
JANTX1N6628
S4320NL
S4320NL
$0 $/morceau
HSM3100GE3/TR13

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