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WNSC2D12650TJ

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SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE I

compliant

WNSC2D12650TJ Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $3.60000 $3.6
500 $3.564 $1782
1000 $3.528 $3528
1500 $3.492 $5238
2000 $3.456 $6912
2500 $3.42 $8550
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de diode Silicon Carbide Schottky
tension - courant continu inverse (vr) (max) 650 V
courant - moyen redressé (io) 12A
tension - directe (vf) (max) @ if 1.7 V @ 12 A
vitesse No Recovery Time > 500mA (Io)
temps de récupération inverse (trr) 0 ns
courant - fuite inverse @ vr 60 µA @ 650 V
capacité à vr, f 380pF @ 1V, 1MHz
type de montage Surface Mount
paquet / étui 4-VSFN Exposed Pad
package d'appareils du fournisseur 5-DFN (8x8)
température de fonctionnement - jonction 175°C
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Numéro de pièce associé

BAT42W-7-F
BAT42W-7-F
$0 $/morceau
NTE517
NTE517
$0 $/morceau
PMEG60T10ELR-QX
1N1203B
1N1203B
$0 $/morceau
PX1500J
PX1500J
$0 $/morceau
SXM36V_R1_00001
UF1008F_T0_00001
US1GWF-7
US1GWF-7
$0 $/morceau

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