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WNSC6D166506Q

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SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE I

non conforme

WNSC6D166506Q Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $4.42000 $4.42
500 $4.3758 $2187.9
1000 $4.3316 $4331.6
1500 $4.2874 $6431.1
2000 $4.2432 $8486.4
2500 $4.199 $10497.5
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de diode Silicon Carbide Schottky
tension - courant continu inverse (vr) (max) 650 V
courant - moyen redressé (io) 16A
tension - directe (vf) (max) @ if 1.45 V @ 16 A
vitesse No Recovery Time > 500mA (Io)
temps de récupération inverse (trr) 0 ns
courant - fuite inverse @ vr 80 µA @ 650 V
capacité à vr, f 780pF @ 1V, 1MHz
type de montage Through Hole
paquet / étui TO-220-2
package d'appareils du fournisseur TO-220AC
température de fonctionnement - jonction 175°C
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Numéro de pièce associé

RB068VWM-30TFTR
UF600A
UF600A
$0 $/morceau
RBR3LAM40ATR
RBR3LAM40ATR
$0 $/morceau
JAN1N914
JAN1N914
$0 $/morceau
JANTXV1N5418.TR
BD880YS_S2_00001
ER3BA_R1_00001
SBRS8120NT3G
SBRS8120NT3G
$0 $/morceau

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