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| Nom | Valeur |
|---|---|
| statut du produit | Active |
| type de FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| fonctionnalité FET | Silicon Carbide (SiC) |
| Tension drain-source (vdss) | 1200V (1.2kV) |
| courant - consommation continue (id) à 25°c | 200A (Tj) |
| rds activé (max) à id, vgs | 6.9mOhm @ 200A, 15V |
| vgs(th) (max) à id | 3.6V @ 69mA |
| charge de porte (qg) (max) @ vgs | 708nC @ 15V |
| capacité d'entrée (ciss) (max) à vds | 20.4nF @ 800V |
| puissance - max | 10mW (Tc) |
| température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| type de montage | Chassis Mount |
| paquet / étui | Module |
| package d'appareils du fournisseur | - |
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