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| Nom | Valeur |
|---|---|
| statut du produit | Obsolete |
| type de FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| fonctionnalité FET | Silicon Carbide (SiC) |
| Tension drain-source (vdss) | 1200V (1.2kV) |
| courant - consommation continue (id) à 25°c | 444A (Tc) |
| rds activé (max) à id, vgs | 4.3mOhm @ 400A, 20V |
| vgs(th) (max) à id | 4V @ 105mA |
| charge de porte (qg) (max) @ vgs | 1127nC @ 20V |
| capacité d'entrée (ciss) (max) à vds | 19.5nF @ 1000V |
| puissance - max | 3000W |
| température de fonctionnement | 175°C (TJ) |
| type de montage | - |
| paquet / étui | Module |
| package d'appareils du fournisseur | Module |
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