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Nom | Valeur |
---|---|
statut du produit | Active |
type de FET | P-Channel |
technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Tension drain-source (vdss) | 60 V |
courant - consommation continue (id) à 25°c | 4A (Ta) |
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) | 4.5V, 10V |
rds activé (max) à id, vgs | 100mOhm @ 4A, 10V |
vgs(th) (max) à id | 3V @ 250µA |
charge de porte (qg) (max) @ vgs | 20 nC @ 10 V |
vgs (max) | ±20V |
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds | 1120 pF @ 30 V |
fonctionnalité FET | - |
puissance dissipée (max) | 3.1W (Ta) |
température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
type de montage | Surface Mount |
package d'appareils du fournisseur | 8-SOIC |
paquet / étui | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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