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NTB75N06G

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onsemi

MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK

NTB75N06G Fiche de données

compliant

NTB75N06G Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 60 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 75A (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 9.5mOhm @ 37.5A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 130 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 4510 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 2.4W (Ta), 214W (Tj)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur D²PAK
paquet / étui TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Numéro de pièce associé

IRF2903ZLPBF
AUIRFU4292
IXKP10N60C5
IXKP10N60C5
$0 $/morceau
IRF6609
IRF6609
$0 $/morceau
IPI100N08N3GHKSA1
IRF3711ZSPBF
SI6413DQ-T1-E3
SI6413DQ-T1-E3
$0 $/morceau
BUK7E2R6-60E,127
IRF7402PBF
SPP80N06S2-05

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