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IPI100N08N3GHKSA1

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MOSFET N-CH 80V 70A TO262-3

non conforme

IPI100N08N3GHKSA1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 80 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 70A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 6V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 10mOhm @ 46A, 10V
vgs(th) (max) à id 3.5V @ 46µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 35 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2410 pF @ 40 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 100W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur PG-TO262-3
paquet / étui TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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Numéro de pièce associé

IRF3711ZSPBF
SI6413DQ-T1-E3
SI6413DQ-T1-E3
$0 $/morceau
BUK7E2R6-60E,127
IRF7402PBF
SPP80N06S2-05
IXTH72N20T
IXTH72N20T
$0 $/morceau
AOTF20C60P
NTTFS4943NTWG
NTTFS4943NTWG
$0 $/morceau
STP13NM50N
STP13NM50N
$0 $/morceau
IRFIZ34E
IRFIZ34E
$0 $/morceau

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