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SI6413DQ-T1-E3

SI6413DQ-T1-E3

SI6413DQ-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 7.2A 8TSSOP

non conforme

SI6413DQ-T1-E3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET P-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 20 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 7.2A (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 1.8V, 4.5V
rds activé (max) à id, vgs 10mOhm @ 8.8A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 800mV @ 400µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 105 nC @ 5 V
vgs (max) ±8V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 1.05W (Ta)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur 8-TSSOP
paquet / étui 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
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Numéro de pièce associé

BUK7E2R6-60E,127
IRF7402PBF
SPP80N06S2-05
IXTH72N20T
IXTH72N20T
$0 $/morceau
AOTF20C60P
NTTFS4943NTWG
NTTFS4943NTWG
$0 $/morceau
STP13NM50N
STP13NM50N
$0 $/morceau
IRFIZ34E
IRFIZ34E
$0 $/morceau
IRF7779L2TR1PBF

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