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| Nom | Valeur |
|---|---|
| statut du produit | Obsolete |
| type de FET | N and P-Channel |
| fonctionnalité FET | Standard |
| Tension drain-source (vdss) | 60V |
| courant - consommation continue (id) à 25°c | 4.5A (Ta), 3.2A (Ta) |
| rds activé (max) à id, vgs | 56mOhm @ 4.5A, 10V, 105mOhm @ 3.2A, 10V |
| vgs(th) (max) à id | 3V @ 250µA |
| charge de porte (qg) (max) @ vgs | 10.5nC @ 10V, 20nC @ 10V |
| capacité d'entrée (ciss) (max) à vds | 540pF @ 30V, 1120pF @ 30V |
| puissance - max | 2W |
| température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| type de montage | Surface Mount |
| paquet / étui | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| package d'appareils du fournisseur | 8-SOIC |
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