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AOD4N60

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MOSFET N-CH 600V 4A TO252

AOD4N60 Fiche de données

non conforme

AOD4N60 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,500 $0.40800 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 600 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 4A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 2.3Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (max) à id 4.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 14.5 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 640 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 104W (Tc)
température de fonctionnement -50°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur TO-252 (DPAK)
paquet / étui TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Numéro de pièce associé

APT10026L2LLG
BUK9511-55A,127
BUK9511-55A,127
$0 $/morceau
SUD50P04-08-BE3
DMN62D1LFD-7
IRFHS8242TRPBF
FDC5614P
FDC5614P
$0 $/morceau
AOTF25S65
IXTQ52P10P
IXTQ52P10P
$0 $/morceau
NDF08N50ZH
NDF08N50ZH
$0 $/morceau
MTP3055VL
MTP3055VL
$0 $/morceau

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