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AON6162

AON6162

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MOSFET N-CHANNEL 60V 100A 8DFN

AON6162 Fiche de données

non conforme

AON6162 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $1.10600 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 60 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 100A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 6V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 2.1mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) à id 3.2V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 100 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 4850 pF @ 30 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 215W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur 8-DFN (5x6)
paquet / étui 8-PowerSMD, Flat Leads
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Numéro de pièce associé

NTHS5443T1
NTHS5443T1
$0 $/morceau
IPT60R050G7XTMA1
HUFA76407D3S
SUD80460E-GE3
SUD80460E-GE3
$0 $/morceau
AOI4S60
PMT200EPEX
PMT200EPEX
$0 $/morceau
IXFA80N25X3-TRL
IXFA80N25X3-TRL
$0 $/morceau
SI4634DY-T1-GE3
SI4848DY-T1-E3
SI4848DY-T1-E3
$0 $/morceau
RZF020P01TL
RZF020P01TL
$0 $/morceau

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