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AOI4S60

AOI4S60

AOI4S60

MOSFET N-CH 600V 4A TO251A

SOT-23

AOI4S60 Fiche de données

non conforme

AOI4S60 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,500 $0.54450 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Not For New Designs
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 600 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 4A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 900mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (max) à id 4.1V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 6 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 263 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 56.8W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-251A
paquet / étui TO-251-3 Stub Leads, IPak
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Numéro de pièce associé

PMT200EPEX
PMT200EPEX
$0 $/morceau
IXFA80N25X3-TRL
IXFA80N25X3-TRL
$0 $/morceau
SI4634DY-T1-GE3
SI4848DY-T1-E3
SI4848DY-T1-E3
$0 $/morceau
RZF020P01TL
RZF020P01TL
$0 $/morceau
IPI100N06S3L04XK
IPD60R600P7ATMA1
FDMC86570L
FDMC86570L
$0 $/morceau
STP130N8F7
STP130N8F7
$0 $/morceau

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