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IPD60R600P7ATMA1

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MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3

non conforme

IPD60R600P7ATMA1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,500 $0.64512 -
5,000 $0.61640 -
12,500 $0.59589 -
4995 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 650 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 6A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 600mOhm @ 1.7A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 80µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 9 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 363 pF @ 400 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 30W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PG-TO252-3
paquet / étui TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Numéro de pièce associé

FDMC86570L
FDMC86570L
$0 $/morceau
STP130N8F7
STP130N8F7
$0 $/morceau
SI7230DN-T1-E3
SI7230DN-T1-E3
$0 $/morceau
NTD6N40
NTD6N40
$0 $/morceau
IRL540NPBF
BUK9M19-60EX
BUK9M19-60EX
$0 $/morceau
SI7623DN-T1-GE3
BSP171PH6327XTSA1

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