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IPI100N06S3L04XK

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MOSFET N-CH 55V 100A TO262-3

non conforme

IPI100N06S3L04XK Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $1.41000 $1.41
10 $1.19500 $11.95
100 $1.06370 $106.37
88 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 55 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 100A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 3.8mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.2V @ 150µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 362 nC @ 10 V
vgs (max) ±16V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 17270 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 214W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur PG-TO262-3
paquet / étui TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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Numéro de pièce associé

IPD60R600P7ATMA1
FDMC86570L
FDMC86570L
$0 $/morceau
STP130N8F7
STP130N8F7
$0 $/morceau
SI7230DN-T1-E3
SI7230DN-T1-E3
$0 $/morceau
NTD6N40
NTD6N40
$0 $/morceau
IRL540NPBF
BUK9M19-60EX
BUK9M19-60EX
$0 $/morceau
SI7623DN-T1-GE3

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