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FCI7N60

FCI7N60

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MOSFET N-CH 600V 7A I2PAK

FCI7N60 Fiche de données

compliant

FCI7N60 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1,000 $1.02179 -
398 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 600 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 7A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 600mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (max) à id 5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 30 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 920 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 83W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur I2PAK (TO-262)
paquet / étui TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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Numéro de pièce associé

IXFH26N60P
IXFH26N60P
$0 $/morceau
IXTP56N15T
IXTP56N15T
$0 $/morceau
AUIRF7669L2TR
GC11N65M
GC11N65M
$0 $/morceau
IPD60R360P7SAUMA1
SQ4401EY-T1_GE3
STFW60N65M5
STFW60N65M5
$0 $/morceau
IXFT140N20X3HV
IXFT140N20X3HV
$0 $/morceau
FDC86244
FDC86244
$0 $/morceau

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