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FDM2509NZ

FDM2509NZ

FDM2509NZ

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

SOT-23

FDM2509NZ Fiche de données

non conforme

FDM2509NZ Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.32015 -
4849 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 20V
courant - consommation continue (id) à 25°c 8.7A
rds activé (max) à id, vgs 18mOhm @ 8.7A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 17nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1200pF @ 10V
puissance - max 800mW
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 6-UDFN Exposed Pad
package d'appareils du fournisseur MicroFET 2x2 Thin
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Numéro de pièce associé

SI4204DY-T1-GE3
FDPF035N06B
ECH8604-TL-E
ECH8604-TL-E
$0 $/morceau
QH8MA2TCR
QH8MA2TCR
$0 $/morceau
SI7904BDN-T1-GE3
NTLJD3119CTBG
NTLJD3119CTBG
$0 $/morceau
BSC076N04NDATMA1
ALD212904SAL
EM6K1T2R
EM6K1T2R
$0 $/morceau
FDR8702H

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