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FDS6812A

FDS6812A

FDS6812A

N-CHANNEL POWER MOSFET

FDS6812A Fiche de données

non conforme

FDS6812A Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.54000 $0.54
500 $0.5346 $267.3
1000 $0.5292 $529.2
1500 $0.5238 $785.7
2000 $0.5184 $1036.8
2500 $0.513 $1282.5
2140 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 20V
courant - consommation continue (id) à 25°c 6.7A
rds activé (max) à id, vgs 22mOhm @ 6.7A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 19nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1082pF @ 10V
puissance - max 900mW
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
package d'appareils du fournisseur 8-SOIC
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Numéro de pièce associé

SQJ992EP-T2_GE3
SI4288DY-T1-GE3
NVMFD5C470NLT1G
NVMFD5C470NLT1G
$0 $/morceau
PJX8803_R1_00001
BSO220N03MDGXUMA1
BSZ0910NDXTMA1
SQS944ENW-T1_GE3
NTLJD2104PTAG
NTLJD2104PTAG
$0 $/morceau
CAB450M12XM3
CAB450M12XM3
$0 $/morceau

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