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FQA8N90C

FQA8N90C

FQA8N90C

MOSFET N-CH 900V 8A TO3P

FQA8N90C Fiche de données

compliant

FQA8N90C Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $1.67000 $1.67
500 $1.6533 $826.65
1000 $1.6366 $1636.6
1500 $1.6199 $2429.85
2000 $1.6032 $3206.4
2500 $1.5865 $3966.25
3683 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 900 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 8A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 1.9Ohm @ 4A, 10V
vgs(th) (max) à id 5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 45 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2080 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 240W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-3P
paquet / étui TO-3P-3, SC-65-3
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Numéro de pièce associé

SIA4371EDJ-T1-GE3
NVTFWS002N04CTAG
NVTFWS002N04CTAG
$0 $/morceau
IXFT36N60P
IXFT36N60P
$0 $/morceau
IXFA34N65X2-TRL
IXFA34N65X2-TRL
$0 $/morceau
FDD8444
FDD8444
$0 $/morceau
2SK3221-AZ
STD150N3LLH6
STD150N3LLH6
$0 $/morceau
FQB12N60TM

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