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FQPF6N60

FQPF6N60

FQPF6N60

MOSFET N-CH 600V 3.6A TO220F

FQPF6N60 Fiche de données

non conforme

FQPF6N60 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.94000 $0.94
500 $0.9306 $465.3
1000 $0.9212 $921.2
1500 $0.9118 $1367.7
2000 $0.9024 $1804.8
2500 $0.893 $2232.5
887 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 600 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 3.6A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 1.5Ohm @ 1.8A, 10V
vgs(th) (max) à id 5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 25 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1000 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 44W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-220F-3
paquet / étui TO-220-3 Full Pack
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Numéro de pièce associé

IXFH400N075T2
IXFH400N075T2
$0 $/morceau
FDS6575
FDS6575
$0 $/morceau
UJ4SC075009B7S
UJ4SC075009B7S
$0 $/morceau
IXTX1R4N450HV
IXTX1R4N450HV
$0 $/morceau
SQA446CEJW-T1_GE3
FDPF7N60NZ
FDPF7N60NZ
$0 $/morceau
RQ3E150GNTB
RQ3E150GNTB
$0 $/morceau
SIA468DJ-T1-GE3
FQB6N90TM

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