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FQU4P25TU

FQU4P25TU

FQU4P25TU

MOSFET P-CH 250V 3.1A IPAK

FQU4P25TU Fiche de données

compliant

FQU4P25TU Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET P-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 250 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 3.1A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 2.1Ohm @ 1.55A, 10V
vgs(th) (max) à id 5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 14 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 420 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 2.5W (Ta), 45W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur I-PAK
paquet / étui TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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Numéro de pièce associé

IPS03N03LA G
IXTC200N10T
IXTC200N10T
$0 $/morceau
STN2NE10L
STN2NE10L
$0 $/morceau
NTD60N02RT4
NTD60N02RT4
$0 $/morceau
IRLU2905ZPBF
FDS8812NZ
FDS8812NZ
$0 $/morceau
SIHB22N60S-GE3
SIHB22N60S-GE3
$0 $/morceau
FQP2N40
FQP2N40
$0 $/morceau

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