Welcome to ichome.com!

logo
Maison

IRF353

IRF353

IRF353

N-CHANNEL POWER MOSFET

IRF353 Fiche de données

compliant

IRF353 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $3.96000 $3.96
500 $3.9204 $1960.2
1000 $3.8808 $3880.8
1500 $3.8412 $5761.8
2000 $3.8016 $7603.2
2500 $3.762 $9405
460 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 350 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 13A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 400mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 120 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2000 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 150W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-3
paquet / étui TO-204AA, TO-3
Le chargement du PDF a échoué, vous pouvez essayer de l'ouvrir dans une nouvelle fenêtre pour y accéder [Ouvrir], ou cliquez pour revenir

Numéro de pièce associé

FCPF7N60NT
FCPF7N60NT
$0 $/morceau
SI2318DS-T1-GE3
HUF76121P3
SIHD6N65ET1-GE3
FKP252
FKP252
$0 $/morceau
AOT7S60L
STB57N65M5
STB57N65M5
$0 $/morceau
IXFK44N80P
IXFK44N80P
$0 $/morceau
IPD03N03LA G

Votre partenaire fiable en électronique

Dédié à dépasser vos attentes. IChome : le service client redéfini pour l'industrie électronique.