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| Nom | Valeur |
|---|---|
| statut du produit | Active |
| type de FET | N and P-Channel Complementary |
| fonctionnalité FET | Standard |
| Tension drain-source (vdss) | 100V |
| courant - consommation continue (id) à 25°c | 1.7A (Ta) |
| rds activé (max) à id, vgs | 220mOhm @ 1.6A, 10V, 250mOhm @ 1A, 10V |
| vgs(th) (max) à id | 3V @ 250µA |
| charge de porte (qg) (max) @ vgs | 8.3nC @ 10V, 17.5nC @ 10V |
| capacité d'entrée (ciss) (max) à vds | 340pF @ 50V, 1030pF @ 50V |
| puissance - max | 1W (Ta) |
| température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| type de montage | Surface Mount |
| paquet / étui | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| package d'appareils du fournisseur | 8-SO |
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