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DMG1012UWQ-7

DMG1012UWQ-7

DMG1012UWQ-7

MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R

non conforme

DMG1012UWQ-7 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.07700 $0.077
500 $0.07623 $38.115
1000 $0.07546 $75.46
1500 $0.07469 $112.035
2000 $0.07392 $147.84
2500 $0.07315 $182.875
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 20 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 950mA (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 1.8V, 4.5V
rds activé (max) à id, vgs 450mOhm @ 600mA, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 1 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±6V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 43 pF @ 16 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 460mW
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur SOT-363
paquet / étui 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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Numéro de pièce associé

FDPF13N50FT
FDPF13N50FT
$0 $/morceau
FDMS86152
FDMS86152
$0 $/morceau
MMFT2N25ET3
MMFT2N25ET3
$0 $/morceau
FCPF380N60-F154
FCPF380N60-F154
$0 $/morceau
IXFP14N85XM
IXFP14N85XM
$0 $/morceau
BUK751R8-40E127
BUK751R8-40E127
$0 $/morceau
IXFN34N80
IXFN34N80
$0 $/morceau
RQ3E100BNTB1
RQ3E100BNTB1
$0 $/morceau
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