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DMJ70H1D4SJ3

DMJ70H1D4SJ3

DMJ70H1D4SJ3

MOSFET BVDSS: 651V~800V TO251 TU

compliant

DMJ70H1D4SJ3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $1.17253 $1.17253
500 $1.1608047 $580.40235
1000 $1.1490794 $1149.0794
1500 $1.1373541 $1706.03115
2000 $1.1256288 $2251.2576
2500 $1.1139035 $2784.75875
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 700 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 6.1A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 1.4Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (max) à id 5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 9 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 273 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 78W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-251 (Type TH)
paquet / étui TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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Numéro de pièce associé

SPP03N60C3XKSA1
MCH5839-TL-H
MCH5839-TL-H
$0 $/morceau
STL110N4F7AG
STL110N4F7AG
$0 $/morceau
DMT10H9M9LPSW-13
DMN2015UFDF-7
MMIX1F180N25T
MMIX1F180N25T
$0 $/morceau
TP65H150G4LSG-TR
TP65H150G4LSG-TR
$0 $/morceau
DMG7401SFG-7

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