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DMN1019USN-13

DMN1019USN-13

DMN1019USN-13

MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59

compliant

DMN1019USN-13 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
10,000 $0.13139 -
30,000 $0.12173 -
50,000 $0.11771 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 12 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 9.3A (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 1.2V, 2.5V
rds activé (max) à id, vgs 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 800mV @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 50.6 nC @ 8 V
vgs (max) ±8V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2426 pF @ 10 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 680mW (Ta)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur SC-59-3
paquet / étui TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Numéro de pièce associé

R6007KNX
R6007KNX
$0 $/morceau
PSMN0R9-25YLC,115
IXFH230N10T
IXFH230N10T
$0 $/morceau
DN1509K1-G
DN1509K1-G
$0 $/morceau
IRFL014TRPBF
IRFL014TRPBF
$0 $/morceau
STP7N80K5
STP7N80K5
$0 $/morceau
IRLI540GPBF
IRLI540GPBF
$0 $/morceau
SQD15N06-42L_GE3
ZXMN6A11GTA
ZXMN6A11GTA
$0 $/morceau
SIHG47N60AEF-GE3

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