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DMN3190LDW-13

DMN3190LDW-13

DMN3190LDW-13

MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363

compliant

DMN3190LDW-13 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.50000 $0.5
500 $0.495 $247.5
1000 $0.49 $490
1500 $0.485 $727.5
2000 $0.48 $960
2500 $0.475 $1187.5
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 30V
courant - consommation continue (id) à 25°c 1A
rds activé (max) à id, vgs 190mOhm @ 1.3A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.8V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 2nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 87pF @ 20V
puissance - max 320mW
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
package d'appareils du fournisseur SOT-363
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Numéro de pièce associé

PJQ4602_R1_00001
SQJ946EP-T1_GE3
ALD310704APCL
ALD110900APAL
SH8K26GZ0TB
SH8K26GZ0TB
$0 $/morceau
SI1035X-T1-GE3
SI1035X-T1-GE3
$0 $/morceau
SI7900AEDN-T1-GE3
MSCSM70AM10CT3AG
BSG0813NDIATMA1
ALD114904SAL

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