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DMN61D9UDWQ-7

DMN61D9UDWQ-7

DMN61D9UDWQ-7

MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT363 T&R

non conforme

DMN61D9UDWQ-7 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.05667 $0.05667
500 $0.0561033 $28.05165
1000 $0.0555366 $55.5366
1500 $0.0549699 $82.45485
2000 $0.0544032 $108.8064
2500 $0.0538365 $134.59125
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Standard
Tension drain-source (vdss) 60V
courant - consommation continue (id) à 25°c 318mA (Ta)
rds activé (max) à id, vgs 2Ohm @ 50mA, 5V
vgs(th) (max) à id 1V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 0.6nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 39pF @ 30V
puissance - max 370mW (Ta)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
package d'appareils du fournisseur SOT-363
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Numéro de pièce associé

SI4922BDY-T1-GE3
RF1K4909396
SI4670DY-T1-GE3
AUIRF7379QTR
NVMFD6H846NLT1G
NVMFD6H846NLT1G
$0 $/morceau
DI048N04PQ2-AQ
MSCSM120TAM16CTPAG
IPG20N06S2L35AATMA1

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