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DMN65D8LDW-7

DMN65D8LDW-7

DMN65D8LDW-7

MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363

compliant

DMN65D8LDW-7 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.07512 -
6,000 $0.06823 -
15,000 $0.06135 -
30,000 $0.05791 -
75,000 $0.05205 -
150,000 $0.05033 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 60V
courant - consommation continue (id) à 25°c 180mA
rds activé (max) à id, vgs 6Ohm @ 115mA, 10V
vgs(th) (max) à id 2V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 0.87nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 22pF @ 25V
puissance - max 300mW
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
package d'appareils du fournisseur SOT-363
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Numéro de pièce associé

PJS6806_S1_00001
IAUC45N04S6L063HATMA1
DMG1024UV-7
DMG1024UV-7
$0 $/morceau
IRF7105TRPBF
US6M11TR
US6M11TR
$0 $/morceau
SQ3989EV-T1_GE3
NTUD3174NZT5G
NTUD3174NZT5G
$0 $/morceau
DMC10H220LSD-13
MSCSM120AM16CT1AG
SI7900AEDN-T1-E3

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