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DMT12H060LFDF-7

DMT12H060LFDF-7

DMT12H060LFDF-7

MOSFET BVDSS: 101V~250V U-DFN202

compliant

DMT12H060LFDF-7 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.25121 $0.25121
500 $0.2486979 $124.34895
1000 $0.2461858 $246.1858
1500 $0.2436737 $365.51055
2000 $0.2411616 $482.3232
2500 $0.2386495 $596.62375
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 115 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 4.4A (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 1.5V, 4.5V
rds activé (max) à id, vgs 65mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1.4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 7.8 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±8V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 475 pF @ 50 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 1.1W (Ta)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur U-DFN2020-6 (Type F)
paquet / étui 6-UDFN Exposed Pad
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Numéro de pièce associé

NTNS3A92PZT5G
NTNS3A92PZT5G
$0 $/morceau
NDCTR3065A
NDCTR3065A
$0 $/morceau
BSS84AHZGT116
DMT10H009SCG-13
03N06L
03N06L
$0 $/morceau
BUK7J1R0-40HX
BUK7J1R0-40HX
$0 $/morceau
DMP6050SFG-7
DMTH6005LPSQ-13

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