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DMT3011LDT-7

DMT3011LDT-7

DMT3011LDT-7

MOSFET 2N-CH 30V 8A V-DFN3030-8

compliant

DMT3011LDT-7 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.40388 -
6,000 $0.37913 -
15,000 $0.36675 -
30,000 $0.36000 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
fonctionnalité FET Standard
Tension drain-source (vdss) 30V
courant - consommation continue (id) à 25°c 8A, 10.7A
rds activé (max) à id, vgs 20mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max) à id 3V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 13.2nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 641pF @ 15V
puissance - max 1.9W
température de fonctionnement -55°C ~ 155°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-VDFN Exposed Pad
package d'appareils du fournisseur V-DFN3030-8 (Type K)
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Numéro de pièce associé

DMNH6021SPDWQ-13
NTMFD1D4N02P1E
NTMFD1D4N02P1E
$0 $/morceau
DMN65D8LDWQ-7
SI8902AEDB-T2-E1
NXH010P120MNF1PG
NXH010P120MNF1PG
$0 $/morceau
MMPA60P1000TLA
MMPA60P1000TLA
$0 $/morceau
PJT7002H_R1_00001
NTTFD4D1N03P1E
NTTFD4D1N03P1E
$0 $/morceau
APTC80A15SCTG
NDH8321C

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