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ZXMN10A25KTC

ZXMN10A25KTC

ZXMN10A25KTC

MOSFET N-CH 100V 4.2A TO252-3

non conforme

ZXMN10A25KTC Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,500 $0.65772 -
5,000 $0.62861 -
12,500 $0.60782 -
6 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 100 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 4.2A (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 6V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 125mOhm @ 2.9A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 17.16 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 859 pF @ 50 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 2.11W (Ta)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur TO-252-3
paquet / étui TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Numéro de pièce associé

IRFR120TRPBF-BE3
IXFN210N30P3
IXFN210N30P3
$0 $/morceau
IRLZ44SPBF
IRLZ44SPBF
$0 $/morceau
BSC061N08NS5ATMA1
BUK7880-55A/CUX
BSO220N03MSGXUMA1
IPD30N08S222ATMA1
FDMS86500DC
FDMS86500DC
$0 $/morceau
PMPB20UN,115
PMPB20UN,115
$0 $/morceau

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