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ZXMN6A11DN8TC

ZXMN6A11DN8TC

ZXMN6A11DN8TC

MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SOIC

non conforme

ZXMN6A11DN8TC Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 60V
courant - consommation continue (id) à 25°c 2.5A
rds activé (max) à id, vgs 120mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (max) à id 1V @ 250µA (Min)
charge de porte (qg) (max) @ vgs 5.7nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 330pF @ 40V
puissance - max 1.8W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
package d'appareils du fournisseur 8-SO
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Numéro de pièce associé

IRF7506TR
IRF7506TR
$0 $/morceau
IRF7316TR
IRF7316TR
$0 $/morceau
DMN3033LSDQ-13
FDS8949-F085
SI4542DY-T1-E3
SI4542DY-T1-E3
$0 $/morceau
ZVN4206NTC
ZVN4206NTC
$0 $/morceau
IRF7316PBF
SI1912EDH-T1-E3
2N7002V-TP
2N7002V-TP
$0 $/morceau

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