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EPC2106ENGRT

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EPC

GAN TRANS 2N-CH 100V BUMPED DIE

compliant

EPC2106ENGRT Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,500 $0.78400 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Discontinued at Digi-Key
type de FET 2 N-Channel (Half Bridge)
fonctionnalité FET GaNFET (Gallium Nitride)
Tension drain-source (vdss) 100V
courant - consommation continue (id) à 25°c 1.7A
rds activé (max) à id, vgs 70mOhm @ 2A, 5V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 600µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 0.73nC @ 5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 75pF @ 50V
puissance - max -
température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui Die
package d'appareils du fournisseur Die
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Numéro de pièce associé

SI5513DC-T1-GE3
FDW2601NZ
NTZD3152PT5G
NTZD3152PT5G
$0 $/morceau
SI4567DY-T1-E3
SI4567DY-T1-E3
$0 $/morceau
FDS9953A
NTJD1155LT1
NTJD1155LT1
$0 $/morceau
AON3806
DMN63D1LDW-13
SI4500BDY-T1-GE3
NTQD4154ZR2
NTQD4154ZR2
$0 $/morceau

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