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EPC8009

EPC8009

EPC8009

EPC

GANFET N-CH 65V 4A DIE

EPC8009 Fiche de données

compliant

EPC8009 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,500 $2.52000 -
14161 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie GaNFET (Gallium Nitride)
Tension drain-source (vdss) 65 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 4A (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 5V
rds activé (max) à id, vgs 130mOhm @ 500mA, 5V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 0.45 nC @ 5 V
vgs (max) +6V, -4V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 52 pF @ 32.5 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) -
température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur Die
paquet / étui Die
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Numéro de pièce associé

AOT410L
RUF015N02TL
RUF015N02TL
$0 $/morceau
NTE2932
NTE2932
$0 $/morceau
FDPF12N50UT
FDPF12N50UT
$0 $/morceau
APT30M36JFLL
DMP3015LSS-13
IPP50R250CPXKSA1
NTMTS0D7N06CLTXG
NTMTS0D7N06CLTXG
$0 $/morceau
IXTT16N10D2
IXTT16N10D2
$0 $/morceau

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