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G06NP06S2

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N/P60V,RD(MAX)<35M@10V,RD(MAX)<4

G06NP06S2 Fiche de données

compliant

G06NP06S2 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.91000 $0.91
500 $0.9009 $450.45
1000 $0.8918 $891.8
1500 $0.8827 $1324.05
2000 $0.8736 $1747.2
2500 $0.8645 $2161.25
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N and P-Channel
fonctionnalité FET Standard
Tension drain-source (vdss) 60V
courant - consommation continue (id) à 25°c 6A (Tc)
rds activé (max) à id, vgs 35mOhm @ 6A, 10V, 45mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 22nC @ 10V, 25nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
puissance - max 2W (Tc), 2.5W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
package d'appareils du fournisseur 8-SOP
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Numéro de pièce associé

MSCSM170TAM23CTPAG
MSCSM170DUM15T3AG
FDMC8010A
APTM60H23FT1G
MSCSM170DUM058AG
DMN21D1UDA-7B
UT6KC5TCR
UT6KC5TCR
$0 $/morceau
2SJ655-MG5
2SJ655-MG5
$0 $/morceau
FSS133-TL-E
FSS133-TL-E
$0 $/morceau

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