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BSC027N03S G

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BSC027N03S G

MOSFET N-CH 30V 25A/100A TDSON

non conforme

BSC027N03S G Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 25A (Ta), 100A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 2.7mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) à id 2V @ 90µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 51 nC @ 5 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 6540 pF @ 15 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 2.8W (Ta), 89W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PG-TDSON-8-1
paquet / étui 8-PowerTDFN
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Numéro de pièce associé

IRL3803S
IRL3803S
$0 $/morceau
IRFU220BTU-AM002
IRFU220BTU-AM002
$0 $/morceau
IPD80R2K8CEBTMA1
IRLS3034-7PPBF
IRLR4343TRR
NTB75N03-06T4
NTB75N03-06T4
$0 $/morceau
FDMS86568-F085
FDMS86568-F085
$0 $/morceau
IPP057N08N3GHKSA1
NTDV6414ANT4G
NTDV6414ANT4G
$0 $/morceau
IRFSL4310ZPBF

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