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BSC027N04LSGATMA1

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BSC027N04LSGATMA1

MOSFET N-CH 40V 24A/100A TDSON

compliant

BSC027N04LSGATMA1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
5,000 $0.75075 -
10,000 $0.73500 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 40 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 24A (Ta), 100A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 2.7mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) à id 2V @ 49µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 85 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 6800 pF @ 20 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 2.5W (Ta), 83W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PG-TDSON-8-1
paquet / étui 8-PowerTDFN
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Numéro de pièce associé

DN3525N8-G
DN3525N8-G
$0 $/morceau
SIRC06DP-T1-GE3
FDA15N65
IPB030N08N3GATMA1
STP11NK50Z
STP11NK50Z
$0 $/morceau
SI2365EDS-T1-BE3
IPI65R310CFDXKSA1700
SI2302CDS-T1-E3
STU7NM60N
STU7NM60N
$0 $/morceau

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