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BSC0910NDIATMA1

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MOSFET 2N-CH 25V 16A/31A TISON8

non conforme

BSC0910NDIATMA1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
5,000 $0.97426 -
9270 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
fonctionnalité FET Logic Level Gate, 4.5V Drive
Tension drain-source (vdss) 25V
courant - consommation continue (id) à 25°c 11A, 31A
rds activé (max) à id, vgs 4.6mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) à id 2V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 6.6nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 4500pF @ 12V
puissance - max 1W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-PowerTDFN
package d'appareils du fournisseur PG-TISON-8
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Numéro de pièce associé

HUFA76504DK8T
DMN1150UFL3-7
DMN2990UDJ-7
BSC0993NDATMA1
MSCSM120AM08CT3AG
FDR8508P
SI4590DY-T1-GE3
SQJB00EP-T1_BE3
EM6J1T2R
EM6J1T2R
$0 $/morceau

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