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BSC098N10NS5ATMA1

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BSC098N10NS5ATMA1

MOSFET N-CH 100V 60A TDSON

compliant

BSC098N10NS5ATMA1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
5,000 $0.64006 -
10,000 $0.61600 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 100 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 60A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 6V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 9.8mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) à id 3.8V @ 36µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 28 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2100 pF @ 50 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 2.5W (Ta), 69W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PG-TDSON-8-7
paquet / étui 8-PowerTDFN
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Numéro de pièce associé

IRLS4030TRLPBF
SIR692DP-T1-RE3
IRFR9020TRLPBF
IRFR9020TRLPBF
$0 $/morceau
NTR0202PLT1G
NTR0202PLT1G
$0 $/morceau
IRF624PBF-BE3
IRF624PBF-BE3
$0 $/morceau
IXFH52N50P2
IXFH52N50P2
$0 $/morceau
NTD24N06L-001
NTD24N06L-001
$0 $/morceau
NVB6411ANT4G
NVB6411ANT4G
$0 $/morceau
SIHW33N60E-GE3
SIHW33N60E-GE3
$0 $/morceau
AOB4S60L

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