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BSC120N03LSGATMA1

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MOSFET N-CH 30V 12A/39A TDSON

non conforme

BSC120N03LSGATMA1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
5,000 $0.22557 -
10,000 $0.21722 -
25,000 $0.21266 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 12A (Ta), 39A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 12mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.2V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 15 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1200 pF @ 15 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 2.5W (Ta), 28W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PG-TDSON-8-5
paquet / étui 8-PowerTDFN
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Numéro de pièce associé

R6024ENJTL
R6024ENJTL
$0 $/morceau
APT1001RBVFRG
IXTP20N65X2
IXTP20N65X2
$0 $/morceau
PMV60ENEAR
PMV60ENEAR
$0 $/morceau
MTB60N05HDLT4
MTB60N05HDLT4
$0 $/morceau
IPD80R1K0CEATMA1
STF18N55M5
STF18N55M5
$0 $/morceau
2SK3457-AZ
SIHG33N60EF-GE3
IRF840BPBF
IRF840BPBF
$0 $/morceau

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