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BSO615CGHUMA1

BSO615CGHUMA1

BSO615CGHUMA1

MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC

non conforme

BSO615CGHUMA1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,500 $0.45723 -
5,000 $0.43436 -
12,500 $0.41804 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET N and P-Channel
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 60V
courant - consommation continue (id) à 25°c 3.1A, 2A
rds activé (max) à id, vgs 110mOhm @ 3.1A, 10V
vgs(th) (max) à id 2V @ 20µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 22.5nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 380pF @ 25V
puissance - max 2W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
package d'appareils du fournisseur PG-DSO-8
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Numéro de pièce associé

LN60A01ES-LF
SI1023X-T1-E3
SI1023X-T1-E3
$0 $/morceau
SI5920DC-T1-GE3
AOP607
HCT802TXV
SI7501DN-T1-E3
SI7501DN-T1-E3
$0 $/morceau
IRF7504TRPBF
NTZD3155CT1H
NTZD3155CT1H
$0 $/morceau
MP6K11TCR
MP6K11TCR
$0 $/morceau
EFC6602R-A-TR
EFC6602R-A-TR
$0 $/morceau

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