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EFC6602R-A-TR

EFC6602R-A-TR

EFC6602R-A-TR

onsemi

MOSFET 2N-CH EFCP

compliant

EFC6602R-A-TR Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual) Common Drain
fonctionnalité FET Logic Level Gate, 2.5V Drive
Tension drain-source (vdss) -
courant - consommation continue (id) à 25°c -
rds activé (max) à id, vgs -
vgs(th) (max) à id -
charge de porte (qg) (max) @ vgs 55nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
puissance - max 2W
température de fonctionnement 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 6-XFBGA, FCBGA
package d'appareils du fournisseur EFCP2718-6CE-020
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Numéro de pièce associé

EFC6601R-A-TR
EFC6601R-A-TR
$0 $/morceau
BSL308CL6327HTSA1
SI7964DP-T1-GE3
FW344A-TL-2W
FW344A-TL-2W
$0 $/morceau
2N7002DW-7
2N7002DW-7
$0 $/morceau
FDMS3602S
BSL207NH6327XTSA1
MVDF2C03HDR2G
MVDF2C03HDR2G
$0 $/morceau
SI7940DP-T1-E3
SI7940DP-T1-E3
$0 $/morceau
STS8DNH3LL
STS8DNH3LL
$0 $/morceau

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