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IGO60R070D1AUMA1

IGO60R070D1AUMA1

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GANFET N-CH 600V 31A 20DSO

compliant

IGO60R070D1AUMA1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
800 $17.83468 $14267.744
1425 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET N-Channel
technologie GaNFET (Gallium Nitride)
Tension drain-source (vdss) 600 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 31A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) -
rds activé (max) à id, vgs -
vgs(th) (max) à id 1.6V @ 2.6mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) -10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 380 pF @ 400 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 125W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PG-DSO-20-85
paquet / étui 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)
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Numéro de pièce associé

STU7NF25
STU7NF25
$0 $/morceau
FDD4141
FDD4141
$0 $/morceau
IXTY02N120P
IXTY02N120P
$0 $/morceau
SQJ160EP-T1_GE3
SIHU7N60E-GE3
SIHU7N60E-GE3
$0 $/morceau
PMN55ENEAX
PMN55ENEAX
$0 $/morceau
SIB457EDK-T1-GE3
SQSA70CENW-T1_GE3
PSMN8R5-100PSQ

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