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IMW65R030M1HXKSA1

IMW65R030M1HXKSA1

IMW65R030M1HXKSA1

SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247

compliant

IMW65R030M1HXKSA1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $23.35000 $23.35
500 $23.1165 $11558.25
1000 $22.883 $22883
1500 $22.6495 $33974.25
2000 $22.416 $44832
2500 $22.1825 $55456.25
231 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie SiCFET (Silicon Carbide)
Tension drain-source (vdss) 650 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 58A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 18V
rds activé (max) à id, vgs 42mOhm @ 29.5A, 18V
vgs(th) (max) à id 5.7V @ 8.8mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 48 nC @ 18 V
vgs (max) +20V, -2V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1643 pF @ 400 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 197W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur PG-TO247-3-41
paquet / étui TO-247-3
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Numéro de pièce associé

IRFIZ44GPBF
IRFIZ44GPBF
$0 $/morceau
DMP3036SSS-13
SIHP6N80AE-GE3
SIHP6N80AE-GE3
$0 $/morceau
C3M0045065D
C3M0045065D
$0 $/morceau
SIHS90N65E-GE3
SIHS90N65E-GE3
$0 $/morceau
ZVN2110ASTZ
ZVN2110ASTZ
$0 $/morceau
STP5N105K5
STP5N105K5
$0 $/morceau
APT12057JFLL
C3M0016120K
C3M0016120K
$0 $/morceau

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