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IPB03N03LA G

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IPB03N03LA G

MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3

compliant

IPB03N03LA G Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 25 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 80A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 2.7mOhm @ 55A, 10V
vgs(th) (max) à id 2V @ 100µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 57 nC @ 5 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 7027 pF @ 15 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 150W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PG-TO263-3-2
paquet / étui TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Numéro de pièce associé

R6076ENZ1C9
R6076ENZ1C9
$0 $/morceau
IRF3315S
IRF3315S
$0 $/morceau
STF30N65M5
STF30N65M5
$0 $/morceau
IRL520
IRL520
$0 $/morceau
RSH110N03TB1
RSH110N03TB1
$0 $/morceau
RTU002P02T106
IRFP460
IRFP460
$0 $/morceau
IPI80P04P4L08AKSA1
FDC5614P_D87Z
FDC5614P_D87Z
$0 $/morceau

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