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IPB50R140CPATMA1

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MOSFET N-CH 550V 23A TO263-3

non conforme

IPB50R140CPATMA1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1,000 $2.47709 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Not For New Designs
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 550 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 23A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 140mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (max) à id 3.5V @ 930µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 64 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2540 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 192W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PG-TO263-3-2
paquet / étui TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Numéro de pièce associé

IPP80R600P7XKSA1
SIHA12N50E-E3
SIHA12N50E-E3
$0 $/morceau
NVMFS5C430NWFAFT1G
NVMFS5C430NWFAFT1G
$0 $/morceau
SIHFR9024TR-GE3
IRFR420TRRPBF
IRFR420TRRPBF
$0 $/morceau
STP220N6F7
STP220N6F7
$0 $/morceau
IPU95R3K7P7AKMA1
HUFA75623S3ST
IRFBE30SPBF
IRFBE30SPBF
$0 $/morceau

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