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TK14E65W5,S1X

TK14E65W5,S1X

TK14E65W5,S1X

MOSFET N-CH 650V 13.7A TO220

non conforme

TK14E65W5,S1X Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $3.05000 $3.05
50 $2.46260 $123.13
100 $2.21630 $221.63
500 $1.72376 $861.88
1,000 $1.42825 -
2,500 $1.37900 -
35 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 650 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 13.7A (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 300mOhm @ 6.9A, 10V
vgs(th) (max) à id 4.5V @ 690µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 40 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1300 pF @ 300 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 130W (Tc)
température de fonctionnement 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-220
paquet / étui TO-220-3
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Numéro de pièce associé

IRFBE30SPBF
IRFBE30SPBF
$0 $/morceau
STD95N2LH5
STD95N2LH5
$0 $/morceau
FDC645N
FDC645N
$0 $/morceau
IPP042N03LGXKSA1
SI2303-TP
SI2303-TP
$0 $/morceau
BUK9637-100E,118
IXTH96N20P
IXTH96N20P
$0 $/morceau
IXTA260N055T2
IXTA260N055T2
$0 $/morceau
IXTN60N50L2
IXTN60N50L2
$0 $/morceau

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